Diodes Schottky en carbure de silicium 650 V pour applications industrielles
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Disponibles en boîtier DPAK Real-2-Pin (R2P) TO-252-2 et TO-220-2 pour une plus grande souplesse de conception, les diodes Schottky en carbure de silicium (SiC) PSC1665x, en stock chez Mouser, font partie de la gamme croissante de composants SiC de Nexperia.
La structure PiN Schottky fusionnée (MPS) de ces composants offre des avantages supplémentaires par rapport aux diodes SiC similaires, notamment une robustesse exceptionnelle face aux courants de surtension. Cela élimine le besoin de circuits de protection supplémentaires, réduisant ainsi de manière significative la complexité du système et permettant aux concepteurs de matériel d’atteindre une plus grande efficacité avec des formats plus petits dans les applications robustes de haute puissance.
En outre, la technologie « thin SiC » de Nexperia permet d’obtenir un substrat plus fin (un tiers de son épaisseur d’origine), ce qui réduit considérablement la résistance thermique entre la jonction et le métal de la face arrière. Il en résulte une température de fonctionnement plus basse, une fiabilité et une durée de vie plus élevées, une capacité de courant de surtension plus importante et une chute de tension directe plus faible.
Ces diodes sont conçues pour répondre aux défis des applications haute tension exigeantes, notamment les blocs d’alimentation commutés industriels le stockage de l’énergie, les infrastructures de chargement de batteries, les entraînements de moteurs, les alimentations sans interruption ainsi que les onduleurs photovoltaïques pour la productiond’énergie durable.––
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