Un MOSFET compact et performant pour des alimentations plus efficaces
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Par
NicolasFeste
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Toshiba Electronics Europe GmbH dévoile le MOSFET TK057V60Z, un composant de puissance 600 V à canal N, basé sur la technologie DTMOSVI et doté d’une structure super jonction. Ce dispositif est intégré dans un boîtier compact DFN8×8, idéal pour les conceptions à haute densité.
Avec une tension drain-source (VDSS) de 600 V et un courant de drain maximal de 40 A, ce MOSFET affiche une résistance RDS(ON) typique de seulement 0,047 Ω (0,057 Ω max.). Sa charge grille-drain (Qgd) peut descendre à 15 nC, garantissant des performances optimales pour les applications exigeantes.
Points clés :
- Technologie DTMOSVI 600 V pour une efficacité accrue.
- Boîtier DFN8×8 compact pour réduire la taille des équipements.
- RDS(ON) ultra-faible et Qgd optimisé pour limiter les pertes.
Ce composant répond aux besoins des alimentations à découpage pour serveurs, des UPS et des conditionneurs de puissance photovoltaïques, en offrant une densité de puissance optimisée et une fiabilité renforcée.
Toshiba Electronics Europe GmbH
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